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国内HBM开发取得进展两家存储器制造商跟进,目标2026年生产HBM2

来源:电子工程网 责编:竹隐 时间:2024-05-16 17:03 阅读量:14793   
导读1.jpg 据Trendforce报道,国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储(CXMT)正处于HBM制造的早期阶段,主要是为了应对未来人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12...

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据Trendforce报道,国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储(CXMT)正处于HBM制造的早期阶段,主要是为了应对未来人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂,长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了HBM样品,并向潜在的客户展示。HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战,包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔(TVS)、凸块、微凸块和RDL等工艺,其中硅通孔占据最高的封装成本比例,接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装,其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求,这也迫使其他晶圆代工厂,比如中芯国际开发更先进的封装技术,以满足客户的芯片生产需求。据了解,目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然美国没有限制HBM芯片的出口,但是HBM3芯片使用了美国的技术制造。

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